碳化硅器件确实在后面会是一个趋势，不过这个趋势不是一触即发，而是慢慢渗透。

目前新能源汽车的OBC、DC/DC和电机控制器主要采用Si基IGBT器件，而碳化硅器件行业公认的未来趋势。

现在的IGBT已经达到硅基材料的物理极限，难以满足新能源汽车未来提高续航能力、缩短充电时间等要求。

而碳化硅器件则存在明显优势，对于主逆变器来说，采用SiC模块替代IGBT模块。

其系统效率可以提高5%左右。在电池容量相同的情况下，其续航里程可提高5%

但目前，SiC MOSFET单管器件的价格大约为Si IGBT价格的3- 5 倍。

所以价格上的差距注定采用碳化硅器件模块的车型有望率先应用于高档车。

然后再慢慢渗透到各类汽车车型，这是需要时间替代的，不是一触即发的逻辑。

目前在全球半导体碳化硅（SiC）晶片市场中，老美的Cree出货量占据全球 45%左右，是这方面绝对的龙头。

而国内在这方面做的比较好的，也确实是三安光电。

并且三安建成了国内首条碳化硅垂直整合产业链。

在这方面的竞争力上，三安确实是有一定的竞争力的，不过这也是需要时间去渗透的，并非短期能成。