【UnitedSiC 750V 第4代 SiC FET提高了性能，并将设计灵活性提升到新的水平】新型碳化硅 FET 采用标准分立式封装。提供业界额定值最低的 RDS（on），是同类产品中唯一提供5μs的可靠短路耐受时间额定值的器件网页链接